RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2449
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link