RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3052
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link