RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
11.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
1875
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
INTENSO 4GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link