RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
45
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
5.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
45
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
5.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
1535
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link