RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Porównaj
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
37
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
36
Prędkość odczytu, GB/s
21.4
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
14.3
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3448
2569
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link