RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
66
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1810
2925
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link