RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,135.0
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
51
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
37
Prędkość odczytu, GB/s
5,021.4
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,135.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
2808
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link