RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
31
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.2
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
22.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
17.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3938
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link