RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
42
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
37
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2592
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link