RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
46
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2481
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link