RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
39
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.5
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
14.1
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3177
2353
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link