RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
40
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
40
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2965
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link