RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
75
Wokół strony 67% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
75
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
1735
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link