RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
50
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
9.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
50
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2111
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Inmos + 256MB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link