RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Porównaj
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
65
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
4.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
8500
Wokół strony 2.75 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
27
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
4.2
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
23400
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
985
3245
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link