RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
45
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
2,935.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
29
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
2419
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link