RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
37
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
37
Prędkość odczytu, GB/s
14.8
9.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2481
1949
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link