RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
37
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
9.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.7
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
37
Скорость чтения, Гб/сек
14.8
9.5
Скорость записи, Гб/сек
8.7
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2481
1949
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link