RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
36
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
11.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.4
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2729
3434
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link