RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
35
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
11.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2968
3306
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link