RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Porównaj
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
52
Wokół strony -160% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,906.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
20
Prędkość odczytu, GB/s
4,672.4
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,906.4
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
698
3619
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link