RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Сравнить
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB против Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
52
Около -160% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.0
1,906.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
20
Скорость чтения, Гб/сек
4,672.4
20.0
Скорость записи, Гб/сек
1,906.4
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
698
3619
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link