RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Porównaj
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
24
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
25
Prędkość odczytu, GB/s
24.0
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
20.0
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
4156
2073
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link