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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
比较
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
总分
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
24
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
20.0
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 -16% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
25
读取速度,GB/s
24.0
14.6
写入速度,GB/s
20.0
6.8
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
4156
2073
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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