RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3660
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link