RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
28
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.7
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
3660
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link