RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
14.7
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3660
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link