Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    27 left arrow 31
    Wokół strony 13% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    16.9 left arrow 16.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    12.4 left arrow 11.8
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    27 left arrow 31
  • Prędkość odczytu, GB/s
    16.7 left arrow 16.9
  • Prędkość zapisu, GB/s
    11.8 left arrow 12.4
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    21300 left arrow no data
Other
  • Opis
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Taktowanie / szybkość zegara
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow no data
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2756 left arrow 3043
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania