RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
no data
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
, 1.20000005, CAS Supported:
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3043
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kllisre 0000 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link