RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
77
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3649
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link