RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.1
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.0
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
23.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
19.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
4276
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link