RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
44
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
44
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3146
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Lenovo 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link