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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
44
Por volta de 36% menor latência
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.6
12.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
44
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
14.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2329
3146
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
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Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Jinyu 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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