RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
37
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2177
2179
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link