RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
62
Wokół strony -195% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
21
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3356
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link