RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
62
Около -195% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
21
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
18.6
Скорость записи, Гб/сек
5.9
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3356
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB Сравнения RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link