RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
62
Wokół strony -170% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
23
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2867
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link