RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
62
En -170% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
23
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2867
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link