RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
62
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
27
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3299
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link