RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
62
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
35
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link