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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
62
En -77% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
35
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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