RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1678
2819
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link