RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
39
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
7.4
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
26
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
10600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1678
1940
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link