Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

総合得点
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

相違点

  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 39
    周辺 33% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.6 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.8 left arrow 7.4
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 13.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.4 left arrow 7.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    1678 left arrow 1940
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