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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
39
Por volta de 33% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.6
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
7.4
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
26
39
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.4
7.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
10600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1678
1940
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
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