RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
78
Wokół strony 69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
78
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1526
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link