RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
72
Wokół strony 67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
9.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
4.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
72
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
4.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1438
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link