RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
62
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
62
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2107
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Corsair VS1GSDS533D2 1GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link