RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
43
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
43
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2250
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link