RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3169
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
InnoDisk Corporation 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link