RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3465
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link